Южный федеральный университет
Инженерно-технологическая академия
Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения

Кафедра конструирования электронных средств
 
 Контакты     На главную     ИНЭП     ИТА ЮФУ      English
 
О кафедре
Студентам
Наука
Абитуриентам

Научные статьи (1997-2003)

  • Коноплев Б.Г., Рындин Е.А. Оценка эффективности использования элементов с "гибкой цоколевкой" выводов для проектирования заказных СБИС // Известия вузов. Электроника. №5, 1997. С.57-62.
    Проведен сравнительный анализ занимаемой площади и суммарной длины связей фрагментов заказных СБИС, разработанных на основе логических элементов с "гибкой цоколевкой" выводов и традиционных элементов. Обоснована эффективность использования элементов с "гибкой цоколевкой" для проектирования заказных СБИС.
  • Коноплев Б.Г., Рындин Е.А. Метод определения перегрева кристаллов СБИС на основе элементов с "гибкой цоколевкой" // Известия вузов. Электроника. №6, 1997. С.69-74.
    Предлагается метод определения перегрева кристаллов СБИС на основе элементов с "гибкой цоколевкой". Приводится оценка погрешности результатов и времени моделирования относительно метода электро-тепловой аналогии.
  • Рындин Е.А. Сравнительный анализ методов структурного резервирования микросистем // Известия вузов. Электроника. №5, 1999. С.75-80.
    При проектировании сложных микросистем обеспечение высокой надежности и живучести, как правило, невозможно без структурного резервирования отдельных элементов, фрагментов и кристаллов. При этом одной из основных проблем является оптимальный выбор резервируемых элементов, метода и кратности резервирования. Для решения данной задачи проведен сравнительный анализ методов резервирования с учетом соотношения площадей (объема аппаратных средств) элементов и устройств управления, осуществляющих подключение резервных элементов вместо вышедших из строя рабочих.
  • Коноплев Б.Г., Рындин Е.А., Ивченко В.Г. Исследование способов реализации СБИС на основе ПЛИС, БМК и в виде заказных микросхем // Известия вузов. Электроника. №1, 2000. С.81-87.
    Предложены модели для оценки средней длины связей и среднего времени задержки специализированных СБИС. Проведен сравнительный анализ способов реализации СБИС на основе ПЛИС, БМК и в виде заказных интегральных схем.
  • Рындин Е.А. Сверхбыстродействующие элементы СБИС на основе полевых транзисторов Шоттки со статической индукцией // Проектирование и технология электронных средств, №2, 2001. С. 44-48.
    Предложены структура и модель полевого транзистора со статической индукцией (СИТ) с барьером Шоттки, проведен анализ результатов моделирования сверхбыстродействующих интегральных элементов на базе комплементарных СИТ с барьером Шоттки, исследованы перспективы создания СБИС на их основе.
  • Konoplev B.G., Ryndin E.A. Static-Induction Transistor for Very-High-Speed ICs // Proceedings of the 1st IEEE International Conference on Circuits and Systems for Communications. St.Peterburg, Russia. 2002. PP.404-407.
    The structure and the model of static-induction transistor (SIT) with Schottky barrier for very-high-speed ICs have been developed. The analysis of simulation results of IC logic elements based on complementary SITs is provided. The prospects of VLSI realization on the base of complementary SITs is discussed.
  • Konoplev B.G., Ivchenko V.G. Method of High Reliability System Synthesis Using VHDL // Proceedings of the 1st IEEE International Conference on Circuits and Systems for Communications. St.Peterburg, Russia. 2002. PP.134-137.
    The possibilities of realization of descriptive properties for microsystems reconfiguration using VHDL are considered. The method of reconfiguration of computation and communication systems and respective algorithm are proposed. The mechanism of creation of switched elements array on the base of VHDL description is developed.
  • Konoplev B.G., Ryndin E.A. SiC static-induction transistor // Abstracts of IV International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials. Novgorod the Great. Russia. 2002. PP.91, 92.
    The structure of static-induction transistor (SIT) with Schottky barrier on the base of silicon carbide for very-high-speed ICs have been developed. The analysis of simulation results of SiC SITs is provided.
  • Ковалев А.В., Коноплев Б.Г. Методология синтеза топологии заказных БИС на основе фрагментов с "плавающими контактами" (Methodology of the ASIC layout syntheses on the base of fragment with "floating contacts") // Труды XXV Юбилейной Международной конференции и дискуссионного научного клуба "Новые информационные технологии в науке, образовании, телекоммуникации и бизнесе" (IT+SE'98). - Ялта-Гурзуф, 1998.
    Предложена методология построения топологического плана кристалла на основе разногабаритных блоков и синтеза межблочных соединений. Рассмотрен один из способов конструктивной реализации библиотеки логических элементов, обеспечивающий возможность свободного перемещения внешних выводов вдоль границ блоков.
  • Ковалев А.В., Коноплев Б.Г. Метод мозаичного синтеза топологии заказных СБИС // Известия вузов. Электроника. № 4, 1999.
    В статье описывается модифицированный метод мозаичного синтеза топологии, позволяющий повысить степень интеграции проектируемых СБИС за счет сокращения областей, отводимых под межблочные соединения. Представлены результаты сравнительной оценки предложенного метода и метода синтеза на основе стандартных библиотечных элементов.
  • Коноплев Б.Г., Лысенко И.Е. Сенсор магнитного поля на основе карбида кремния // Известия вузов. Электроника. 2001. №4. С. 78-82.
    Описан разработанный сенсор магнитного поля, регистрирующий величину индукции и направление вектора магнитного поля. Выполнено моделирование зависимости разности токов коллекторов сенсора от магнитной индукции, углов, характеризующих направление поля и температуры.
  • Ковалев А.В. Логические элементы для деформируемых субблоков заказных БИС // Известия ТРТУ. Тематический выпуск. Труды VII международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники ПЭМ-1999". - Таганрог: ТРТУ, 2000, №3(17). С. 155-159.
    В рамках данной статьи рассматриваются конструкции логических элементов для обеспечения возможности изгиба и изменения отношения линейных размеров прямоугольных блоков БИС. Применение предложенных конструкций элементов позволит эффективность заполнения площади кристалла.
  • Ковалев А.В., Коноплев Б.Г. Генетический алгоритм размещения разногабаритных блоков СБИС // Перспективные информационные технологии и интеллектуальные системы. - Таганрог: ТРТУ, 2001, № 5. С. 71-87.
    Предложены способ кодировки размещения разногабаритных блоков СБИС и генетические операторы. Данный генетический алгоритм позволяет получать приемлемые решения задачи размещения при малых вычислительных затратах.
  • Ковалев А.В., Коноплев Б.Г. Методика размещения блоков СБИС на основе генетической эволюции // Труды международного конгресса "Искусственный интеллект в XXI веке" (ICAI'2001). - М.: Изд-во Физико-математической литературы, 2001. с. 695-704.
    В методике размещения, предложенной в данной статье, способ кодировки положения разногабаритных блоков отличается повышенной "прозрачностью" при применении генетических операторов к графу представления блоков. Также разработаны операторы, использующие особенности предложенного представления, а именно учет весовых коэффициентов вершин графа.
  • Коноплев Б.Г., Лысенко И.Е. Моделирование интегральной микросборки элементов МОЭМС с использованием шарниров на основе полиимида // "Перспективные информационные технологии и интеллектуальные системы".- Таганрог: ТРТУ, 2001.- №4(8).- С.52-58. (URL http://pitis.tsure.ru).
    Описан полиимидный шарнир, позволяющий производить интегральную трехмерную микросборку сенсорных и актюаторных элементов МОЭМС. Выполнено моделирование зависимости угла вращения, совершаемого структурами элементов с полиимидными шарнирами, от температуры и количества шарниров.
  • Коноплев Б.Г., Лысенко И.Е. Микрозеркало с электростатической активацией // Известия вузов. Электроника.- 2002.- №4.- С.66-70.
    Разработано интегральное микрозеркало с электростатической активацией, изготавливаемое по технологии поверхностной микрообработки. Предложена модель для расчета поворотного узла микрозеркала.
  • Lysenko I.E. Simulation of the micromachined switches // Proceedings of the IARP Workshop on Microrobots, Micromachines an Microsystems.- Moscow: Institute for Problems in Mechanics RAS, 2003.- pp.165-169.
    This paper reports on the simulation results of electrostatic actuator for integrated surface micromachined switches. The micromechanical and behavioral models of micromachined switches are developed. The dependencies of the switch deflecting voltage on the distance between the gate terminals and a cantilever beam are modeled. The minimum actuating gate-to-source voltage required to close a switch is normally 8-60 V, depending on the device topology. The standard hardware description language like VHDL-AMS for digital, analog and mixed systems is used to describe the behavior of the switch.

НОЦ
"Лазерные
технологии"
ИНЭП
(видео - 74,4 МБ)

Центр
проектирования
СИСМ
 
 Контакты     На главную     ИНЭП     ИТА ЮФУ      English
Адрес: Россия, 347928, г. Таганрог, ГСП-17а, пер. Некрасовский, 44, ИТА ЮФУ, ИНЭП, КЭС
Тел.: 8(8634)37-16-03
Факс : 8(8634)36-15-00
E-mail: kes@fep.tti.sfedu.ru . Ответственный за сайт: к.т.н., ассистент каф. КЭС Саенко Александр Викторович.
Дата обновления 09.02.2016 г.