Taganrog Institute of Technology - Southern Federal University
College of Electronics and Electronic Equipment Engineering
Department of Micro- and Nanoelectronics
 
SFedU TIT SFedU CEEE
M&NE

Проектирование полупроводниковых приборов (ППП)

Краткое описание курса

Курс содержит основные соотношения для расчетов полупроводниковых структур. Проектирование и конструирование диодов и диодных структур. Проектирование транзисторов и транзисторных структур. Расчет и проектирование бездрейфового биполярного транзистора. Расчет и проектирование дрейфового планарно-эпитаксиального транзистора. Проектирование и конструирование тиристорных структур.

Цели и задачи курса

Получение навыков расчета и проектирования полупроводниковых приборов.

Содержание курса

  1. Полупроводниковые структуры.
  2. Диодные структуры.
  3. Сплавной диод, дуф-фузионный и СВЧ диод.
  4. Сплавной биполяр-ный кремневый транзистор.
  5. Дрейфовый планарно-эпитаксиального транзистор.
  6. Тиристорные структуры.

Литература

  1. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. - М.: Энергоиздат, 1990. - 375 с.
  2. Крутякова М.Г., Чарыков Н.А., Юдин В.В. Полупроводниковые приборы и основы их проектирования. - М.: Радио и связь, 1983. - 351 с.
  3. Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов. - М.: Энергия, 1971. - 272 с.
  4. Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов. -Киев: Техника,1975 г.
  5. Кремниевые планарные транзисторы. Под ред. Федотова. -М. Советское радио, 1973 г.
  6. Пауль Р. Транзисторы. -М.: Советское радио, 1973 г.

Структура курса

Семестр

8

Лекции

22 час. (1 лекции внеделю)

Практические занятия

22 час. (1 занятие в неделю)

Лабораторные работы

нет

Индивидуальные занятия

нет

Самостоятельная работа

23 час.

Всего учебных занятий
по дисциплине

67 час.

Итоговый контроль

зачет

Преподаватель:  Авдеев С.П.

[an error occurred while processing this directive]