Taganrog Institute of Technology - Southern Federal University
College of Electronics and Electronic Equipment Engineering
Department of Micro- and Nanoelectronics
 
SFedU TIT SFedU CEEE
M&NE

Физические основы микроэлектроники (ФОМ)

Краткое описание курса

Изучение физических процессов, лежащих в основе функционирования полупроводниковых приборов и интегральных схем. Ознакомление с зонной теорией полупроводников и физикой полупроводников.

Цели и задачи курса

Изучить теорию физических процессов в полупроводниках и полупро-водниковых приборах. Изучить принципы работы полупроводниковых приборов. Дать представление об использовании приборов в интегральных схемах.

Содержание курса

  1. Элементы квантовой статистики.
  2. Элементы зонной теории полупроводников.
  3. Физические принципы в полупроводниковых материалах.
  4. Физические принципы функционирования p-n-переходов.
  5. Физика транзисторов.
  6. Поверхностные и контактные явления.
  7. Физика МОП и полевых транзисторов.
  8. Физические основы сверхпроводимости, и туннельных диодов

Литература

  1. Епифанов Г.И., Мома Ю.Л. Физические основы конструирования и технологии ОЭС и ЭВА.
  2. Новиков В.В. Физические основы микроэлектроники.
  3. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. М., ВШ, 1991.
  4. Сеченов Д.А., Захаров А.Г. Руководство к лабораторным работам по курсу "Физические основы конструирования и технологии микроэлектроники". ч.1 и ч.2. Таганрог., 1979.
  5. Сеченов Д.А., Агеев О.А. Руководство для практических занятий по курсу "Физические основы микроэлектроники." Таганрог., 1998.

Структура курса

Семестр

5

Лекции

72 час. (2 лекции в неделю)

Практические занятия

18 час. (1 заняие в 2 недели)

Лабораторные работы

18 час.

Индивидуальные занятия

18 час.

Курсовые работы, проекты

КР

Самостоятельная работа

72 час.

Всего учебных занятий
по дисциплине

198 час.

Итоговый контроль

экзамен

Преподаватель:  Федотов А.А.

[an error occurred while processing this directive]