УДК 621.315.592
ДЖАФАРОВ М.А., НАСИРОВ Э.Ф.
ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК
CDSЕ1-ХТEХ, ОСАЖДЕННЫХ ИЗ ВОДНОГО РАСТВОРА
Азербайджан, г. Баку, ул. З.Халилова 23, Бакинский Государствен-
ный Университет, Институт Физических Проблем,
отдел физики полупроводников.
E-mail: elshan_nasirov@yahoo.com
Пленки CdSе1-хТeх получены на ситалловых, стеклянных, квар-
цевых, никелевых, серебряных и алюминиевых подложках методом
химического осаждения из водного раствора. В широком диапазоне
изменения температуры (77К÷500К), длины волны (0,3÷1,4 мкм) и ин-
тенсивности света (вплоть до 400 Лк) исследованы их электрические и
фотоэлектрические свойства, механизм остаточной проводимости.
Установлено, что термическая обработка (ТО) на воздухе при
5000С в течение 5÷10 мин существенно влияет на фотоэлектрические
свойства этих пленок. Под воздействием ТО в вакууме, в открытой
атмосфере и в парах меди, в пленках CdSе1-хТeх, CdS1-xSex происходят
изменения их электрических, фотоэлектрических и шумовых характе-
ристик, обусловленные перестройкой примесно-дефектного состава и
электронно-молекулярным взаимодействием.
Несмотря на поликристалличность и дефектность структуры
пленок CdSе1-хТeх, CdS1-xSex, можно целенаправленно достичь необхо-
димой степени компенсации различных уровней и реализовать их вы-
сокие фотоэлектрические параметры. Установлена зависимость энер-
гетических
спектров
локальных
состояний
и
механизма
рекомбинационных процессов от технологического режима. Рекомби-
национные схемы и диаграммы примесно-дефектных уровней и элек-
тронных переходов фоточувствительных пленок CdSе1-хТeх, CdS1-xSex
в принципе идентичны, а различие связано с многообразием центров
прилипания и рекомбинации, обусловленных изолированными доно-
рами, акцепторами и их комплексами.
Установлено, что основные закономерности долговременно ре-
лаксирующих фотоэффектов в пленках CdSе1-хТeх (0,1≤x≤0,5) объяс-
няются на основе модели неоднородного барьерного рельефа и модели
локальных скоплений примесей. N-образная ВАХ в состоянии оста-
точной проводимости обусловлена изменением генерационных
свойств скоплений примесей на рекомбинационные.
Показано, что механизмы процессов, обусловливающих отрица-
тельное дифференциальное сопротивление, эффект переключения и
памяти в структурах на основе этих пленок, а именно, гашение нерав-
новесной проводимости, образование хемосорбированных электриче-
ских доменов, туннелирование носителей заряда с последующим их

захватом на уровни прилипания, контролируются рекомбинационными
барьерами и условиями ТО.
Установлено, что в зависимости от технологического режима
нелинейная ВАХ, аномальная температурная зависимость темнового
тока и отрицательная дифференциальная фотопроводимость, обнару-
женные в этих пленках, объясняются единым электронно-
молекулярным механизмом.




Document Outline