УДК 621.382
МУРШУДЛИ М.Н., АЛИЕВА Т.М.
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ C-V ХАРАКТЕРИСТИКИ
ДИОДОВ ШОТТКИ С РАЗВИТЫМ ПЕРИМЕТРОМ
Азербайджанское Национальное Аэрокосмическое Агентство
AZ1106, Азербайджан, Баку, пр. Азадлыг 159, mnmur@mail.ru
Краевые эффекты диодов Шоттки рассматривались во многих
работах [1-3]. Главным образом исследовалось влияние краев на
вольтамперные характеристики [2,3].
В настоящей работе сравниваются C-V характеристики обыч-
ных диодов (рис.1) и диодов Шоттки с развитым периметром (вы-
прямляющий контакт гребенчатый) (рис.2). Измерения проводились на
частоте 1 МГц. Диоды имели равную площадь перехода и были изго-
товлены в едином технологическом цикле на одной подложке. Поэто-
му вся разница между диодами сводится всего лишь к протяженности
периметра т.е к доле краевой составляющей.

Рис.1. C-V -характеристики диодов Шоттки


Рис.2. С-V-хар-ки диодов Шоттки с развитым периметром


a) б)
Рис.3. C-V -характеристики диодов Шоттки с развитым периметром.
а) без покрытия, б) покрытых тонкой пленкой краун-эфира
Измерены также C-V характеристики диода с развитым пери-
метром и того же диода, но уже покрытого тонкой пленкой краун-
эфира (рис.3),
Как видно из рисунков очень значительны различия в форме и
температурной зависимости характеристик. После покрытия пленкой
практически диодная C-V характеристика имеет вид, характерный для
структур с тонким промежуточным окислом. Аномальны температур-
ные зависимости, сильно меняется величина емкости, высота горбов.

В принципе, диод Шоттки с развитым периметром можно рас-
сматривать как два параллельно включенных диода; плоскостной и
краевой. В зависимости от преобладания краевой или плоскостной
составляющей, характеристики имеют соответствующий вид. При
этом для диодов с преобладанием краевой составляющей характерно
наличие различных пик и впадин при малых смещениях. Такую же
картину наблюдали на С-V характеристиках и в работе [4]. Однако в
названной работе рассматривались диоды Шоттки с палладиевым кон-
тактом. Наличие горбов и впадин и изменения их положения и разме-
ров с температурой и изменением окружающей атмосферы объясня-
лось перезарядкой поверхностных состояний, что очевидно и в нашем
случае.
На примере показанных зависимостей видно, что C-V характе-
ристики диодов с развитым периметром информативны, могут быть
инструментом для исследования поверхностных свойств. Построив
зависимости 1/С2 от приложенного напряжения можно определить
концентрацию поверхностных состояний и их изменение с температу-
рой [5]. С-V характеристиках диодов Шоттки с развитым периметром
могут использоваться в качестве выходного параметра при детектиро-
ванин газов.

1.K.Al-Badhawi, M.J.Howes, D.V.Morgan. The modeling of edge current
in Shottky barrier devises. J. Phys. D: Appl.Phys., 1978, v.11, No.8, p.
1203-1210.
2.Мамедов Р.К., Набиев М.А. Влияние краевых эффектов на протека-
ние тока в диодах Шоттки. ФТП, 1986, т.20, вып.2, с.332-336.
3.Бутурлин А.И., Евдокимов А.В., Муршудли М.Н. Чистяков Ю.Д Га-
бузян Т.А. Определение краевого тока в диодных структурах с
барьером Шоттки. Электронная техника, сер.3, Микроэлектроника,
1985, вып.1, с.75-84.
4.Bahman Keramati, Jay N.Zemel. Pd-thin-SiO2-Si diode. 1. Isothermal
variation of H2-induced interfacial trapping states. J.Appl.Phys. 1982,
v.53, No.2, p.1091-1099.
5. H.J.Ruks, J.R.Monkowski, L.J.Giling, J.Bloem. Temperature dependent
capacitance voltage measurements for the detection of trap levels in
semiconductors. Solid-State Electronics. 1981, v.24, No.5, p.476-478.


Document Outline