УДК 621.3.049.77.001.63
КОРОЛЕВ М.А., КЛЮЧНИКОВ А.С.
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНО-
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ДМОП ТРАНЗИСТОРА
НА СОПРОТИВЛЕНИЕ В ОТКРЫТОМ СОСТОЯНИИ
Московский Государственный Институт Электронной Техники
(ТУ), 124498 Москва, Зеленоград, проезд 4806, д. 5
Структура ДМОП транзистора показана на рис. 1. Кристалл со-
стоит из большого числа ячеек, включенных параллельно, что позво-
ляет добиться минимального сопротивления сток-исток в открытом
состоянии. Сопротивление ДМОП транзистора состоит из нескольких
компонент показанных на рис.1. В высоковольтных транзисторах ос-
новной вклад в сопротивление сток-исток дают сопротивления RJ и
RD.

Рис. 1 Структура ДМОП транзистора
Rsource - сопротивление истока, Rch - сопротивление канала, RA - со-
противление растекания тока, RJ - "JFET" сопротивление между двумя
p-областями, RD - сопротивление дрейфовой области, Rsub - сопро-
тивление подложки
Изменение некоторых параметров транзистора приводит к из-
менению сопротивления, в основном это сильно сказывается на сопро-
тивлениях RJ и RD, но процентное соотношение суммы данных сопро-
тивлений к общему сопротивлению транзистора практически не
меняется и остается в пределах (90 - 98)%. В таблице 1 показано про-

центное соотношение вкладов каждого сопротивления в величину со-
противления открытого канала для трех значений приложенного на-
пряжения фирмы Harris.

Предельное напряжение сток-исток, (В)
Составляющая
40 150 500
Rch 50% 23% 2.4%
Rbulk 35% 70% 97%
Rext 15% 7% <
1%

Из таблицы можно сделать следующие выводы: сопротивление
транзистора в открытом состоянии возрастает с увеличением напряже-
ния пробоя МОП структуры, минимальное значение сопротивления
приносится в жертву требованиям высокого напряжения пробоя.
Исследование проводилось с помощью пакета приборно-
технологического моделирования ISE TCAD (Synopsys). В результате
работы были получены зависимости сопротивления сток-исток в от-
крытом состоянии от расстояния между ячейками (расстояние между
областями p-типа) и от толщины эпитаксиальной пленки (расчет про-
водился при напряжении на затворе и стоке 10 В). А также получены
зависимости сопротивления эпитаксиальной пленки и транзистора
управляемого p-n переходами от длины затвора, приведены аналити-
ческие расчеты сопротивлений и их сравнения с численным моделиро-
ванием.


Document Outline