УДК 621.9.047.7
ДАНИЛА А.В., ДАНИЛКИН Е.В.
ИЗУЧЕНИЕ ПРОЦЕССА ТРИММИНГА ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ
МАСКИ В РЕАКТОРЕ ВЫСОКОПЛОТНОЙ ПЛАЗМЫ
ОАО НИИМЭ и Микрон
124460, г. Москва, Зеленоград, 1-й Западный проезд, д. 12, стр. 1
Телефон: + 7 495 229-72-80; E-mail: Doc13@mikron.ru
Современная оптическая фотолитография уже достигла мини-
мального разрешения в 0,06 мкм. И продолжает успешно двигаться в
освоении 0,04-0.03мкм. Однако, для производителей СБИС переход на
следующий минимальный размер всегда связан с большими капиталь-
ными затратами связанными, в том числе, необходимостью приобре-
тения самого дорогого в технологии оборудования - следующего по-
коления степперов-сканеров. Стоимость современного нового сканера
на длине волны 193 нм (ArF), который обеспечивает разрешение до
0,06 мкм, достигает, 30 миллионов долларов США.
С помощью разработанного нами тримминг процесса (подреза-
ние фоторезистивной маски с одинаковыми скоростями в горизон-
тальном и вертикальном направлении) можно, уверенно, уменьшать
критический размер затворов на 30% - 40% (например с 0,25 до 0,18
мкм) имея при этом на фоторезистивной маске после экспонирования
на 248 нм степпере размер 0,25 мкм. В данном случае нет необходимо-
сти использовать дорогой степпер на 193 нм. Быстродействие СБИС
оперативных КМОП ОЗУ, за счет уменьшения длины затвора на 30%
увеличивается в два раза.
Процесс тримминга фоторезистивной маски реализован с ис-
пользованием плазмы, генерируемой в источнике индуктивно связан-
ной высокоплотной плазмы, и отличается высокой равномерностью по
площади пластины диаметром 150 - 200 мм.
Результаты показывают, что процесс тримминга фотомаски при-
меним для производства 0,1мкм поликремневых затворов с традици-
онной 248нм литографией.
Неоднородность критического размера структур, получаемых с
помощью тримминга фоторезистивной маски, не превышает 3% по
площади пластины диаметром 200 мм. Скорость подрезания сильно
зависит от газовой смеси, температуры, источника ВЧ мощности, на-
пряжения смещения, давления в реакторе и полного газового потока.
Скорость подрезания повышается с повышением температуры, ВЧ
мощности и давления в реакторе, но уменьшается с повышением на-
пряжения смещения. При исследовании различных параметров про-
цесса было определено, что в тримминг процессе доминирующую роль
играют нейтральные разновидности реагентов.


Document Outline