УДК 621.315.592
КАСИМОВ Ф.Д.
областях
формировать
схемотехнические
аналоги
негатронов,

позволяющие передавать получаемые сигналы на расстояние [6]. Такие
МИКРОЭЛЕКТРОННАЯ НЕГАТРОНИКА - НОВОЕ
устройства относятся к классу т.н. интеллектуальных систем, в которых
НАПРАВЛЕНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
сочетаются чувствительные элементы и схемы обработки, хранения и

передачи сигналов. В [7, 8] были описаны датчики магнитного поля и
Азербайджанское Национальное Аэрокосмическое Агентство,
давления, разработанные по технологии ИС с трехмерной интеграцией.
370106, Баку, пр. Азадлыг 159, e-mail: fredkasimi@hotmail.com
Исследовались магнито- , газо- и фоточувствительные свойства пленок ПК

и были разработаны магнитокоммутирующие ИС на основе эффекта Холла
В настоящее время в области электроники развивается ряд научных
с высокой чувствительностью [9], гальваномагниторекомбинационного
направлений - квантовая электроника, опто- , акусто- , магнито- ,
эффекта с высокой термостабильностью [10, 11], фоточувствительные
криоэлектроника и др. Одним из последних достижений электроники
преобразователи на основе p-n-перехода с участком ОС на ВАХ, благодаря
является негатроника, заключающееся в создании теории, синтеза и
наличию поликристаллической базы [12], а также газочувствительные
технологии изготовления негатронов - приборов и элементов, имеющих в
элементы для детектирования H2, NOx, CO2 [13-14]. Причем необходимо
определенном
режиме
отрицательное
значение
основного
подчеркнуть, что гальваномагниторекомбинационные элементы на
дифференциального параметра - активного сопротивления, емкости,
кремнии с высокой чувствительностью были впервые получены в
индуктивности. Формулировка научного направления негатроники была
интегральном исполнении именно благодаря технологии одновременного
окончательно дана на прошедшей в 1991 г. в Баку Всесоюзной
выращивания локальных пленок моно- и поликристаллического кремния.
конференции по приборам с отрицательным сопротивлением (ОС) и
До этого времени высокая чувствительность достигалась только в
интегральным преобразователям на их основе. Тогда же в Виннице под
германиевых образцах или же в дискретных кремниевых элементах при
руководством проф. Филинюка Н.А. был организован международный
высокой температуре (400 °С), что не позволяло изготавливать их
координационный центр Негатроника, в состав которого вошли такие
совместно с интегральными схемами.
известные ученые, как С.А. Гаряинов, В.П. Дьяконов, А.С.Тагер,
Сочетание перечисленных выше функциональных элементов,
О.Н.Негоденко,
Л.Н.Степанова,
Б.Г.Тагиев,
З.А.Искендер-Заде,
разработанных в ОКБ Космического Приборостроения Азербайджанского
Л.И.Биберман и др. Итогом разносторонней деятельности центра на
Национального Аэрокосмического Агентства, со схемами аналогов
начальном этапе развития негатроники явилась совместная монография
негатронов, разработанных на кафедре МЭТ БИС ТРТУ дало толчок к
коллектива ученых из России, Украины и Азербайджана, вышедшая в
развитию четвертого поколения негатронной электроники - созданию
издательстве Наука Сибирского отделения РАН РФ под редакцией проф.
преобразователей неэлектрических величин в интегральном исполнении
Степановой Л.Н. [1].
[15-17]. Малые размеры компонентов, групповые методы изготовления,
Наряду с существованием трех известных поколений, которые
отсутствие лишних межсоединений по сравнению с гибридно-пленочной
прошла негатроника в своем развитии - ламповая, транзисторная и
технологией
повышает
надежность
изделий
микроэлектронной
схемотехническая, в настоящее время появилось и успешно развивается
негатроники и открывает широкие перспективы их использования в
новое четвертое поколение - микроэлектронная негатроника [2, 3]. Этому
экстремальных условиях эксплуатации, для передачи сигналов из
во многом способствовало создание технологии одновременного
труднодоступных, или взрывоопасных мест.
выращивания локальных пленок поли- и монокристаллического кремния в

процессе
эпитаксиального
наращивания [4]. В
пленках

поликристаллического кремния (ПК) был обнаружен эффект ОС и памяти
1. Серьезнов А.Н., Гаряинов С.А., Филинюк Н.А., Негоденко О.Н.,
[5], на основании которого был разработан высоконадежный
Касимов Ф.Д. Негатроника. -Новосибирск: Наука, Сибирское
переключатель и запоминающий элемент. Как было показано, пленки ПК,
отделение РАН, 1995. -314с.
благодаря наличию на границах зерен ОПЗ, чувствительных к внешним
2. Касимов Ф.Д., АгаевФ.Г., Филинюк Н.А. Физико-технические и
воздействиям,
можно
использовать
в
качестве
первичных
схемотехнические особенности проектирования микроэлектронных
преобразователей неэлектрических величин, а в монокристаллических
преобразователей на основе негатронов. -Баку: ЭЛМ, 1999. -234с.

3. Касимов Ф.Д., Гусейнов Я.Ю., Негоденко О.Н., Румянцев К.Е.
15. Негоденко О.Н., Мамиконова В.М., Мардамшин Ю.П. Датчик
Микроэлектронные преобразователи на основе негатронных элементов
магнитного
поля
с
частотным
выходом
на
и устройств. -Баку: ЭЛМ, 2001. -236с.
гальваномагниторекомбинационном
эффекте. -Труды 6-ой
4. Abdullajev A.G., Kasimov F.D., Mamikonova V.M. The simultaneous
Международной
НТК
Актуальные
проблемы
твердотельной
growth of mono- and polycrystalline silicon films. -Thin Solid Films, 1984,
электроники и микроэлектроники, -Таганрог, 1999, с.128.
v.115, 3, p.237-243.
16. Негоденко О.Н., Мардамшин Ю.П. Микроэлектронные датчики с
5. Гезалов Б.А., Касимов Ф.Д., Ветхов В.А.. Электрическая
частотным выходом на основе аналогов негатронов. -ТКЭА, 2000, 5-
неустойчивость в локально выращенных пленках ПК. -Письма в ЖТФ.
6, с.19-22.
1983, т.9, вып.24, с.1523-1526.
17. Гусейнов Я.Ю. Интегральные микроэлектронные преобразователи для
6. Касимов Ф.Д. Физические свойства и функциональные возможности
дистанционных измерений. -ТКЭА, 2001, 4-5, с.51-52.
локально выращенных пленок моно- и поликристаллического кремния.

-Тезисы
докладов 12-й
Всесоюзной
конференции
по

микроэлектронике, Тбилиси, 1987, ч.2, с.175-176.
7. Kasimov F.D., Guseinov Ya.Yu. Three dimensional intellectual sensors of
magnetic field on the based Hall effects. -Proceeding of Vth Pan Pacific
Symposium on Microelectronics, USA, Hawaii, 2000, p.299-301.
8. Королев М.А., Шумский И.А. Интеллектуальные измерительные
микросистемы на основе структур кремний-на-изоляторе. -Известия
Вузов. Электроника, 1998, 5, с.34-38.
9. Касимов Ф.Д., Рагимов С Н. Кремниевый преобразователь магнитного
поля. -Электронная техника, Сер. 3. Микроэлектроника, 1991, вып.4
(143), с.15-17.
10. Касимов
Ф.Д.,
Гусейнов
Я.Ю.
Кремниевый
интегральный
гальваномагниторекомбинационный
элемент. -Технология
и
конструирование в электронной аппаратуре (ТКЭА), 2000, 5-6, с.16-
18.
11. Сеченов
Д.А.,
Мамиконова
В.М.,
Василенко
А.Л.
Гальваномагниторекомбинационный
кремниевый
интегральный
преобразователь. -Известия Вузов. Электроника, 2001, 2, с.71-74.
12. Касимова
Ф.Ф.,
Джавадов
Н.Г.
Стимулированное
светом
отрицательное сопротивление в кремниевых p-n-переходах с
поликристаллической базой. -Известия Вузов. Электроника, 1999, 1-
2, с.47-51.
13. Касимова Ф.Ф., Бабаев Н.А., Багиров М.А. Водородочувствительный
элемент на основе кремниевых МДП-структур. -Известия СКНЦ ВШ,
1992, 3-4, с.55-58.
14. Агаев
Ф.Г.
Датчик
углекислого
газа
на
основе
пленки
поликристаллического кремния. -ТКЭА, 2001, 2, с.49-50.