УДК 621.315.592
МАМЕДОВ Э.С.
1. Kasimov F.D., Mamedov E.S. Effective planar method of defects gettering.

-Fizika, NAS Azerbaijan Republic, 2001, v.7, 3, p.5-7.
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАБИЛЬНОСТИ СИСТЕМЫ Si-SiO2
2. Масловский В.М., Личманов Ю.О., Семанович Е.В. Влияние
В ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ
протяженных дефектов на пробой тонкопленочных МДП-структур. -

Письма в ЖТФ, 1993, т.19, вып.24, с.11-16.
Азербайджанский Технический Университет, Баку

370602, Баку, пр. Г.Джавида 25, тел.:(99412) 391249

Повышение управляющей способности фотопреобразователей на
основе ПЗС с поверхностным каналом требует уменьшения плотности
генерационно-рекомбинационных центров на границе раздела Si-SiO2. По
этой причине изыскиваются новые, более эффективные способы
геттерирования [1]. Однако сильные электрические поля в структурах
ФПЗС могут приводить к неравномерному распределению плотности тока
туннельной инжекции в дефектных областях SiO2. Сложность получения
экспериментальных данных о нестабильности зарядов диэлектрика
обусловлена малым отношением площади дефектной области к
бездефектной, которая по данным [2], составляет не более 10-5.
Данная работа посвящена исследованию зарядовой стабильности
МДП-структуры, состоящей из двух областей (бездефектной с площадью
S1 и дефектной с площадью S2). Составлена система уравнений, численным
решением которых определен вклад отдельных механизмов накопления
заряда в диэлектрике, их взаимное влияние на распределение
электрических полей и плотности токов как в области дефекта, так и в
бездефектной части структуры.
Измерение зависимостей напряжения сдвига ВАХ от времени при
разных плотностях тока показало, что в МДП-структуре с пониженной
толщиной окисла в дефектной области наблюдается увеличение
отрицательного напряжения сдвига ВАХ при плотностях тока j=10-3-10-2
мА/см2. При напряженностях электрического поля в дефектной области
более 106 В/см начинается интенсивная межзонная ударная ионизация, в
результате чего происходит генерация дырок, захватывающихся на
нейтральные ловушки вблизи границы раздела Si-SiO2, что приводит к
быстрому росту положительного заряда в SiO2. Этот вывод имеет
практическое значение при рассмотрении начального этапа работы ФПЗС
для оценки влияния искажений, вносимых благодаря дефектам в форму и
величину пакета информационного заряда.