УДК 621.315.61:537.226
АВЕРИН И.А., ПЕЧЕРСКАЯ Р.М.

УПРАВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИМИ СВОЙСТВАМИ
МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Пензенский государственный университет,
440017, Россия, г.Пенза, улица Красная, 40, тел.: (8412) 63-85-29,
факс: 66-51-22, E-mail: micro@diamond.stup.ac.ru

В работе представлены результаты исследования, связанные с
управлением электрофизическими параметрами материалов электронной
техники за счет однократного и многократного облучения их рент-
геновскими лучами. В качестве объектов исследования использовались
сегнетокерамика типа ЦТС и резистивные пленки на основе
хромоникелевого
сплава.
Установлено
различное
влияние
на
электрофизические
свойства
материалов
электронной
техники
однократного и многократного облучения рентгеновскими лучами. Для
сегнетокерамических образцов однократное их облучение приводит к
уменьшению разброса электрофизических параметров. Так, например,
разброс электропроводности сегнетокерамики, полученной по одинаковой
технологии, уменьшается в 3-7 раз в зависимости от поглощенной дозы
излучения. При многократном облучении величина электропроводности
сегнетокерамики закономерно увеличивается с ростом поглощенной дозы
излучения, причем математически данную зависимость можно представить
в следующем виде:
.
0 23
s = A * D , (1)
где s -электропроводность сегенетокерамики; А-коэффициент, равный
3*10-13 - 8*10-13 (Ом*м)-1/Рад; D -суммарная поглощенная доза излучения.
Уравнение (1) коррелирует с законом Роуза-Фаулера. Сопротивления рези-
стивных пленок модельно представлено через составляющие, зависящие от
концентрации, подвижности носителей заряда, определяющей коэф-
фициентом рассеяния m. Установлено, что величина коэффициента рас-
сеяния m для однократно облученных по отношению к свободно хра-
нящимся образцам увеличивается на 31,5%. После двукратного облучения
рентгеновскими лучами m увеличивается на 20%. Это связано с тем, что
под действием рентгеновского излучения в резистивные пленки вводятся,
дополнительно к имеющимся, радиационные дефекты. Появление ради-
ационных дефектов приводит, во-первых, к возникновению допол-
нительных механизмов рассеяния носителей заряда на радиационных дефе-
ктах, во-вторых, к увеличению интенсивности рассеяния носителей заряда.