УДК 539.2
БОГДАНОВА Х.Г., БУЛАТОВ А.Р.,
Тс могут приводить к значительному изменению скорости затухания
ГОЛЕНИЩЕВ-КУТУЗОВ А.В., ГОЛЕНИЩЕВ-КУТУЗОВ В.А.,
ультразвуковых
волн,
спектров
пропускания
и
отражения,
КАПРАЛОВ А.В., МИГАЧЕВ С.А., САДЫКОВ М.Ф.
двулучепреломления электромагнитных волн в широком диапазоне от

радиочастот до инфракрасного.
АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ И ДАТЧИКИ НА
Проведенные ранее нами эксперименты [3-4] показали, что вблизи
ОСНОВЕ СТРУКТУРНЫХ И МАГНИТНЫХ ФАЗОВЫХ
структурного и магнитного фазовых переходов в La1-xSrxMnO3 (x=0,175)
ПЕРЕХОДОВ В ОКСИДАХ МЕТАЛЛОВ
происходит изменение в скорости и затухании ультразвуковых волн до

50%, а также трансформация акустических мод в частотном диапазоне до
Казанский государственный энергетический университет,
1000 МГц. В a-Fe2O3 вблизи спин орбитального перехода были также
420066, Татарстан, Казань, Красносельская, 51, тел. (8432) 438673,
обнаружены изменения акустических и оптических параметров: изменение
adm@kspeu.kcn.ru
скорости ультразвуковых волн до 50% и вращение плоскости поляризации

акустических и оптических пучков. Поскольку эти переходы в обоих
Оксиды переходных металлов (шпинели, гранаты, перовскиты),
материалах происходят практически при комнатных температурах,
содержащие Ян-Теллеровские (ЯТ) ионы (Cu, Cr, Mn, Fe), обладают
значения которых можно изменять при помощи ионного легирования
определенным набором структурных и магнитных фазовых переходов, при
исходных материалов, то возникает возможность использования
которых значительно, иногда на несколько порядков, изменяются их
обнаруженных эффектов для создания управляемых линий задержки,
электрические, магнитные, оптические и упругие параметры. В настоящее
модуляторов
и
дефлекторов
в
акустоэлектронных
устройствах,
время
основное
внимание
сосредоточено
на
изменении
модуляторов и сканеров оптических пучков.
электропроводности в магнитном поле r (H). В первую очередь это
Работа частично поддержана грантами РФФИ и грантом
относится к манганитам с общей формулой ARMnO3, где А -
Минобразования.
редкоземельные ионы, R - щелочноземельные ионы, у которых r (H)

достигает значения 103-104 [1]. Пока меньшее внимание обращено на
1. Нечаев Э.Л. УФН, 166, 8, 833 (1996)
практическое использование таких материалов как Fe2O3; Fe3O4; Cr2O3 и их
2. Кудасов Ю.Б. ЖТФ, 68, 12, 43 (1998)
твердых растворов. Последнее уже нашло применение в качестве
3. Богданова Х.Г., Булатов А.Р., Голенищев-Кутузов В.А., Шакирзянов
размыкателя больших токов до 400 кА при использовании перехода
М.М. ФТТ, 43, 8. 1512 (2001)
металл-диэлектрик [2].
4. Ахмадуллин И.Ш., Голенищев-Кутузов В.А., Мигачев С.А., Садыков
Однако не меньший интерес представляют возможности управления
М.Ф. ФТТ, 44, 2, 321 (2002)
акустическими и оптическими параметрами, которые могут испытывать

значительное изменение в окрестностях фазовых переходов. Причем
управление ими может выполняться как изменением температуры, так и
приложением магнитных или электрических полей. В докладе
рассматриваются физические модели изменения, в том числе и
нелинейного, упругих и оптических характеристик ряда оксидов ЯТ
переходных металлов и их практическое применение. Основное внимание
будет обращено на манганиты (LaSrMnO3) и гематит (Fe2O3). В этих
материалах существует сильное взаимодействие между электронной,
магнитной и упругой подсистемами. Причем выше температуры
магнитного упорядочения Тс наиболее сильным является электрон
фотонное взаимодействие, а ниже Тс - спинфононное. Поэтому резкая
перестройка зарядового или структурного упорядочения выше Тс или
перестройка спин орбитального или спин фононного взаимодействия ниже