УДК 539.219
КОДИН В.В., РАЗУМОВСКИЙ П.И.,
2. Благин А.В. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в
АЛФИМОВА Д.Л., БАРАННИК А.А.
многокомпонентных системах на основе антимонида индия. Канд. дис.

- Новочеркасск, 1996.
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ АНТИМОНИДА ИНДИЯ В ВАРИЗОННЫХ

СЛОЯХ InSb1-XBiX, ПОЛУЧЕННЫХ ЗОННОЙ
ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙ

Волгодонский Институт Южнороссийского государственного
технического университета (Новочеркасского политехнического
института), 347340, г. Волгодонск, ул. Ленина, 73,
Тел. (86392) 2-56-68, E-mail: Vostok1@vdonsk.ru

В работе представлены исследования структурных характеристик и
свойств твердых растворов InSb1-xBix/InSb, выращенных в поле
температурного градиента при различных условиях роста и проводится
анализ распределения компонентов в варизонных слоях InSb1-xBix.
В качестве элементной базы нефелометров привлекательны
варизонные слои твердых растворов InSb1-xBix. Это обусловлено высокой
чувствительностью датчиков ИК-излучения, формируемых на основе
висмутсодержащих антимонидов [1]. Растворы антимонида - висмутида
индия выращивали на химико-механически полированных подложках InSb
методом зонной перекристаллизации градиентом температуры (ЗПГТ) с
использованием индий-висмутовых зон в температурном диапазоне 390 -
430°С со значениями градиента температуры до 35 град/см.
Технологические аспекты освещены в [2].
Исследования распределения компонентов твёрдого раствора InSb1-
xBix в прямом профиле показывает преимущественное осаждение висмута
на расстоянии до 35 мкм от подложки, на котором расходуется до 90% Bi,
содержащегося в зоне. Значение градиента ширины запрещенной зоны Еg
в диапазоне от 0,1 эВ до ~ 1.5104 эВ/см можно регулировать выбором
толщины жидкой зоны l, получение которой практически возможно без
блокировки зоны на старте. Задавая толщину зоны, её исходный состав и
температуру процесса, мы можем получить при однократном проходе в
процессе ЗГПТ варизонный слой InSb1-xBix требуемой толщины с заданным
распределением концентрации InBi, возрастающей в направлении роста, с
необходимым градиентом ширины запрещенной зоны.


1. Акчурин Р.Х., Сахарова Т.В. Получение узкозонных твердых
растворов InAsSbBi методом жидкофазной эпитаксии // Письма в
ЖТФ. - 1992. - Т.18, в.10. - С. 16 - 20.