УДК: 681.3: 621.3.032
АТКИН Э.В., ВОЛКОВ Ю.А.,
ДЕМИН А.А., КОНДРАТЕНКО С.В.,
МАСЛЕННИКОВ В.В., ПЛЕШКО А.Д.
СТРУКТУРА И ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПЛЕМЕНТАРНОГО
БАЗОВОГО МАТРИЧНОГО КРИСТАЛЛА
Московский государственный инженерно-физический институт (Технический университет),
115409, г. Москва, Каширское шоссе, 31, кафедра электроники, тел.: (095) 3239235,
fax: (095)3243295, e-mail: volkov@eldep.mephi.ru
Рассматривается комплиментарный базовый матричный кристалл (БМК),
предназначенный для реализации на его основе отдельных функциональных
устройств и целых трактов обработки аналоговых сигналов, снимаемых с
высокоомных емкостных детекторов типа твердотельного электронного умножителя
(ТЭУ) или проволочных камер.
Характеристики основных типов транзисторов (tna и tpa)
Название характеристики
npn-транзистор,
pnp-транзистор,
тип tna
тип tna
Коэффициент усиления тока базы N
120
100
при токе коллектора Iк5 мА, не менее
Напряжение Эрли VA, не менее
100 В
80 В
Ёмкость перехода база-эмиттер CБЭ
150 фФ
150 фФ
при VБЭ=0, не более
Ёмкость перехода база-коллектор CБК
170 фФ
250 фФ
при VБК=0, не более
Ёмкость коллектора на подложку CКП
450 фФ
550 фФ
при VКП=0, не более
Объёмное сопротивление базы rБ , не
110 Ом
160 Ом
более
Объёмное
сопротивление
тела
100 Ом
120 Ом
коллектора rК , не более
Частота единичного усиления fT при
2,2 ГГц
1,8 ГГц
токе коллектора Iк1 мА, не менее

Общие количественные характеристики комплементарного БМК
Число npn-/pnp-транзисторов в аналоговой ячейке
10/10
Число резисторов с номиналом 200 Ом/2 кОм в 24/32
аналоговой ячейке
Число аналоговых ячеек
12
Число npn-и pnp-транзисторов на кристалле (+число 240+8
транзисторов типа tnh/tph увеличенной мощности,
расположенных между контактными площадками в
конце кахдого канала)
Число резисторов с номиналом 200 Ом и 2 кОм на 672+32
кристалле (+число резисторов с номиналом 10 кОм,
расположенных между контактными площадками)
Число конденсаторов с номиналом 0.5 пФ на кристалле 84
Число контактных площадок
24
Размер кристалла, мм
2,22,5
UTMOST. Data Aquisition and Parameter Extraction. SILVACO International.
http://www.silvaco.com/products/utmost/utmost.html.
Кондратенко С.В. Определение SPICE-параметров модели биполярного
транзистора, связанных со временем пролета носителей заряда через базу.// Сборник
научных трудов научной сессии МИФИ-2000. - М.: МИФИ, 2000. - стр. 107.