УДК 621.315
АГАЕВ Ф.Г., АСАДОВ М.М.,
МУСТАФАЕВА С.Н., АЛИЕВ В.А., ИСМАИЛОВ Дж.И.
ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ СОЕДИНЕНИЙ
3
6
TlB C2 (B3 - In;Ga; C6 - S, Se, Te)
Институт физики АН Азербайджана, 370143, Баку, пр. Г.Джавида, 33, e-mail: vugar@lan.ab.az
В настоящее время распологают значительным количеством сведений по
давлениям насыщенного пара химических соединений , используемых в различных
проблемах твердотельной электроники и микроэлектроники. Однако, при анализе
этих данных необходимо иметь ввиду степень диссоциации химических соединений
в газообразном состоянии. Указанный вариант диссоциации является самым
простым.
Все физико-химические процесы в материалах основаны на реакциях
востановления и окисления химических элементов с участием конденсированных
фаз.
Рассмотрены тройные полупроводники типа
3
6
TlB C . Показано, что прочность
2
связи компонентов в этих полупроводниках при постоянном давлении определяет
степень диссоциации соединений в конденсированном состоянии.
При изучении
3
6
TlB C обнаружено, что отсутствует оценка состояния
2
продуктов термической диссоциации этих соединений. При этом сужается
возможность термодинамического анализа физико-химических процессов,
связанных с превращением халькогенидных соединений, образованных из
газообразных и конденсированных компонентов.
Показано, что не зная состояния продуктов диссоциации, невозможно
правильно использовать аппарат термодинамики для оценки поведения этих
соединений при термической диссоциации.
Рассмотрены различные модели процесса диссоциации, в т.ч. и
заключающееся в разложении тройного соединения типа
3
6
TlB C в твердом состоянии
2
с образованием более простого соединения и газа.

При этом анализировано три случая: первый - когда оба твердые вещества не
растворимы друг в друге; второй - когда твердые вещества образуют твердый
раствор и третий - когда оба твердых вещества растворяются в каком-то ином
веществе.